LED如何制作？
LED通常通过在结晶晶片基板上沉积非常薄的高晶体层（外延层）的各种组合物而制造。由LED发出的波长由外延层的材料特性限定。沉积的原子遵循由基材提供的晶体模板，称为外延沉积的过程。对于大多数材料系统，有一个天然基质;例如，对于基于铝，铟和/或砷化镓合金的二极管，天然基质是砷化镓（GaAs），而硅衬底用于基于硅的二极管。
LED的基板
氮化铝（ALN）和氮化镓（GaN）合金通常用于制造在杀菌范围内发光的紫外LED发射光的光。在蓝宝石基材上制造深紫外线LED，通常用于蓝色和绿色IngaN LED，导致10多个8.脱位（缺陷）每平方厘米，相应地，寿命和效率降低。因此，氮化铝（AlN）衬底是减少深紫外LED中的脱位（缺陷）的关键。
水晶是优势
晶体是开创性的单晶氮化铝（ALN）基材的发展。接下来，水晶是科学家开发了用于在ALN基板上生长活性晶体层的专利方法，同时保留ALN的低缺陷密度。这些晶体（称为假形立方外延结构）表现出尖锐的界面，平滑表面，表面粗糙度小于一个纳米。当使用诸如蓝宝石的异物基板时，这些厚的假晶层和基于它们的装置是不可能的。
结果已被LED器件具有较高的效率，并且在250-280nm波长范围内的寿命更长，而不是由其他竞争技术制造的二极管，例如在蓝宝石上生长的晶体。2013年3月，我们宣布从连续波操作中的单个紫外线LED超过60兆瓦的光输出。
对于我们最近的技术出版物的紫外线，请参阅下文。
- 具有超过60 MW连续波输出功率，APP的270nm假形紫外发光二极管。物理。快递6（2013）032101
- 高从260nm假形紫外线发光二极管换电力，具有改进的热性能，苹果。物理。快递4（2011）082101
- 散装铝氮化物基材，物理铝铝型紫外线发光二极管的可靠性和性能。状态SOLISI C 8，第5,528-1533（2011）
- 中紫外光发光二极管的性质，由散装铝氮化物基材上的假形图层制成，苹果。物理。表现3（2010）072103
- 散粒子基板上紫外线-C伪晶发光二极管的性能和可靠性。状态SOLIS C 7，No.7-8,2199-2201（2010）
- 氮化铝中ER3 +离子的电子顺磁共振，应用物理学杂志105,023714（2009）
- 电子应用的Aln散装生长和外延的进展，物理。Status Solidi A，1-7（2009）
- 厚N型AlxGA1-XN层对紫外线LED应用的低缺陷密度散装Aln基材的假晶生长，晶体生长311（2009）2864-2866
用于电子应用的大面积ALN基板：工业角度，晶体增长杂志310（2008）4020-4026
- 大直径的结构和表面表征，用于器件制造的晶体AlN基材，晶体生长杂志310（2008）887-890
- AlGaN的杂肝在深紫外发光二极管，Appl中的散装Aln基板。物理。字母91,051116（2007）
- 紫外半导体激光二极管在散装ALN，应用物理学报，101,123103（2007）
- 2英寸直径Aln单晶晶片的制造和表征从散装晶体中切割，母体。res。SOC。Symp。Proc。卷。955（2007）
- 原子力显微镜研究原生ALN基材，母体。res。SOC。Symp。Proc。卷。892（2006）
- 单晶ALN晶片，母体中的缺陷内容评估。res。SOC。Symp。Proc。卷。892（2006）
- 用于器件应用的本机，单晶ALN基板的开发，物理。统计。索尔。（a）203,7,1667-1671（2006）
- 氮化铝晶体中供体的电子顺磁共振，应用物理字母88,062112（2006）
- 表面声波速度在单晶ALN基板中，超声波，铁电和频率控制上的IEEE交易，Vol。53，不。1，（2006）