LED是如何形成的?

LED通常由结晶晶片衬底上沉积各种组合物的非常薄的,高度结晶的层(外延层)制成。由LED发射的波长是由外延层的材料特性来定义。所沉积的原子遵循由衬底提供的结晶模板,一个称为外延沉积工艺。对于大多数材料系统,有一个天然的基板;例如,对于基于铝,铟,和/或砷化镓合金二极管,天然底物是砷化镓(GaAs),而硅衬底被用于基于硅二极管。

基板用于LED

氮化铝(AlN)和氮化镓(GaN)合金通常用于制造具有杀菌范围波长的紫外线发光二极管。蓝宝石基板通常用于蓝色和绿色的InGaN led,在蓝宝石基板上制造深紫外光led的结果是10多个8位错(缺陷)每平方厘米并且相应地,较低的寿命和效率。氮化铝(AlN)基板,因此,键以减少深紫外光LED的位错(缺陷)。

该晶体的优势

晶体是首创单氮化物晶体铝(AlN)基板的开发。接着,晶体是科学家开发用于生长有源晶体层如在AlN基板的LED专利方法,同时保持AlN的低缺陷密度。这些晶体(称为假晶的外延结构)表现出尖锐的界面,流畅具有小于一纳米的表面粗糙度的表面。这些厚的假晶层,并且基于它们的设备,使用异质衬底如蓝宝石时是不可能的。

结果被LED与在250-280纳米的波长范围比从其它竞争技术制造二极管更高的效率和较长的寿命设备,诸如生长在蓝宝石晶体。在2013年3月,我们宣布在光输出的60毫瓦从单个紫外线在连续波运行的LED。

对于我们的国家的最先进的紫外光LED最近的技术出版物,请参见下文。



  1. 270nm的赝紫外线发光二极管以超过60毫瓦连续波输出功率,应用。物理学。Express 6中(2013)032101
  2. 高出把电力从260nm的紫外赝发光二极管以改善热性能,应用。物理学。Express 4的(2011)082101
  3. 可靠性和散装铝氮化物衬底,物理学性能赝紫外发光二极管。1.166的C 8,第5号,1528年至1533年(2011)
  4. 从假晶层上堆积铝氮化物衬底中紫外发光二极管材料工艺性能,申请物理学。表达3(2010)072103
  5. 性能,并在大尺寸AlN衬底,物理学可靠性紫外-C赝发光二极管。1.166的C 7,7-8号,2199至2201年(2010)
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  7. AlN的进展的整体生长和外延电子应用,物理。1.166 A,1-7(2009)
  8. 厚的n型AlxGa1-x N层上的低缺陷密度大尺寸AlN衬底生长的假晶用于UV LED应用,晶体生长杂志311(2009)2864年至2866年
  9. 用于电子应用的大面积的AlN衬底:工业的角度来看,晶体生长杂志310(2008)4020- 4026

  10. 大直径的结构与表征,器件制造,杂志水晶的结晶氮化铝衬底生长310(2008)887-890
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  12. 紫外线半导体激光二极管的大尺寸AlN,杂志应用物理,101,123103(2007)
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