背景
Crystal由Leo Schowalter和Glen Slack于1997年建立，以开发氮化铝（ALN）底物技术，以实现更强大和可靠的半导体设备。晶体是科学家开发了专利的过程，用于生长活性晶体层，例如ALN底物上的LED，同时保留了ALN的低缺陷密度。这些晶体（称为伪形的外延结构）表现出锋利的界面，光滑的表面，表面粗糙度小于一个纳米。当使用蓝宝石等外国基质时，这些厚实的伪形层和基于它们的设备是不可能的。
结果是与从其他竞争技术（如在蓝宝石上种植的晶体）制造的二极管相比，在250-280 nm波长范围内具有更高效率和更长的寿命的LED设备。
联合创始人Leo Schowalter
水晶是Aln Boule
LED是如何制作的？
LED通常是通过在结晶晶片基板上沉积的各种组合物的非常薄的高度结晶层（Epi层）来制造的。LED发出的波长由Epi层的材料特性定义。沉积原子遵循底物提供的晶体模板，该过程称为外延沉积。对于大多数材料系统，都有一个天然的底物。例如，对于基于铝，依赖性和/或砷化韧带合金的二极管，天然底物是砷化甲苯固体（GAAS），而硅底物用于基于硅的二极管。
Aln Crystal：所有晶体的心脏都是产品
LED的底物
在蓝色和绿色Ingan LED中使用的传统蓝宝石基材上的深紫外线LED制造，导致108每平方厘米的位错（缺陷）。晶体使用氮化铝（ALN）底物来制造少于10的深紫外线LED5每平方厘米的位错（缺陷）。这意味着在较短的波长下，高产量LED的产量高。